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AMD銳龍9000系列對高頻內(nèi)存的支持進一步加強，各家主板廠商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的內(nèi)存，支持8000MT/s EXPO的內(nèi)存就再次成為了玩家們選購的焦點。這次我們就一起來看一下佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存的表現(xiàn)。

旗艦發(fā)燒DDR5套裝，10層PCB特挑ADie顆粒

佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存（OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5）采用了黑金配色，和普通的DW100系列有明顯的區(qū)別。它整體為黑色啞光散熱裝甲，以金色紋理和文字加以點綴，神秘中充滿了高端感。

內(nèi)存頂部則是光污染玩家喜愛的燈帶，其擁有8個區(qū)域的1680萬色可編程RGB燈光，具有超過10組燈效模式，能夠支持華碩、技嘉、微星、華擎等主流主板廠商的燈光同步。玩家們可以充分自定義設置，打造統(tǒng)一的動態(tài)視覺效果。

佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存擁有10層PCB，帶來更好的抗干擾性能，提供更加穩(wěn)定的電氣性能，為超頻打下良好基礎。它采用不鎖電壓PMIC設計，可根據(jù)玩家需求動態(tài)調節(jié)電壓，帶來更好的超頻體驗。散熱裝甲則采用了創(chuàng)新的三翅片散熱設計，保證內(nèi)存在高頻下依舊能控制在一個合理的溫度，進一步提高高頻使用時的穩(wěn)定性。

該內(nèi)存采用了特挑的海力士A-Die顆粒，具備優(yōu)秀的超頻性能。它是全球首款量產(chǎn)上市的雙檔EXPO配置內(nèi)存，也就是說其具備了兩組EXPO認證配置，分別對應8000MT/s和6400MT/s兩個檔位。這條聯(lián)名內(nèi)存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36兩種不同的規(guī)格供玩家選擇，兩者的高頻EXPO配置略有不同，低頻EXPO配置則保持一直，具體如下：

DDR5-8000 CL34：

8000MT/s EXPO時序CL34-46-46-108

6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76

DDR5-8000 CL36：

8000MT/s EXPO時序CL36-46-46-108

6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76

本次體驗測試的是是其中高頻8000MT/s CL36的版本。這樣的雙檔EXPO讓玩家使用起來更加靈活。對于AMD平臺的游戲玩家來說，6400MT/s是一個甜點頻率，這個內(nèi)存頻率下大多數(shù)玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式，而CL28則又能很好的降低延遲，帶來比較優(yōu)秀的游戲性能。同時，如果玩家的的CPU體質不那么好或者主板內(nèi)存支持不那么完善，無法跑到8000MT/s這種高頻率下時，也能有一個不錯的內(nèi)存性能體驗。

8000MT/s則能在一定程度上提升帶寬，在部分需要高內(nèi)存帶寬的生產(chǎn)力應用中帶來一些性能上的加成，不過由于在高頻下只能使用UCLK=MCLK/2的異步模式，所以延遲方面通常比較吃虧。但是因為佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存在8000MT/s下的EXPO設置將CL值也降到了34/36，所以總體來看并不會比6400MT/s的設置下游戲性能差太多，而高頻率對于部分需求高頻率的游戲來說，也能提升一定的游戲性能。

容量方面，該內(nèi)存為DDR5套條，單條16GB，套裝為雙條，組成16GB×2的32GB組合，足夠滿足游戲玩家日常使用的需要。

雙檔EXPO配置，低延遲高帶寬全都有

我們對該內(nèi)存進行了實測。因為AMD CPU I/O Die的關系，單CCD和雙CCD的CPU內(nèi)存性能并不一致，單CCD的CPU在讀寫性能上會明顯落后于雙CCD的CPU，所以我們分開進行了測試。另外，因為CPU體質和主板內(nèi)存超頻能力等原因，會對內(nèi)存讀寫性能、延遲和超頻能力有一定的影響，所以以下結果僅供參考，特別是超頻測試。

測試平臺：

內(nèi)存：佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存

DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2

CPU：AMD 銳龍5 9600X

AMD銳龍9 9900X

AMD 銳龍9 9950X

主板：ROG CROSSHAIR X870E HERO

我們使用AIDA64對該內(nèi)存進行了讀寫性能的測試。首先來看看CPU為單CCD的銳龍5 9600X的表現(xiàn)。可以看到在默認的5600MT/s CL46下，無論是讀寫還是延遲的表現(xiàn)都比較一般。加載6400MT/s CL28的EXPO設置后，可以看到無論是讀寫性能還是延遲表現(xiàn)都有了大幅的提升，其中延遲直接降低了25%，這對延遲敏感的游戲來說提升會非常明顯，所以大家拿到內(nèi)存以后一定要在BIOS開啟EXPO設置，不然就是花了錢卻沒有享受到應有的性能。不過因為主板默認小參調整等原因，加載8000MT/s的EXPO設置后相比6400MT/s EXPO設置時沒有提升，還略微降低了一點。

我們也嘗試了超頻，在簡單的設置并對小參進行調整后，內(nèi)存頻率可以進一步提升到8200MT/s，延遲則還能進一步降低到CL34。此時的內(nèi)存讀寫性能有了比較明顯的提升，但受限于CPU是單CCD，依舊沒能跑滿。延遲為66.7ns，相比6400MT/s同步模式下進一步降低。

再來看看該內(nèi)存在雙CCD的CPU銳龍9 9900X的下的表現(xiàn)（選擇銳龍9 9900X是因為我們手里的這顆比銳龍9 9950X的IMC體質要好，內(nèi)存超頻更容易一些）。可以看到在6400MT/s的EXPO設置下，相比5600MT/s的默認設置在讀寫性能和延遲方面就已經(jīng)有了大幅的進步，讀取提升了39%，寫入提升了34%，復制提升了32%，延遲降低了29%，雙CCD的CPU確實能帶來更好的內(nèi)存性能釋放。加載8000MT/s的EXPO設置后相比6400MT/s EXPO設置時表現(xiàn)基本一致，特別是大家關心的異步狀態(tài)下的延遲表現(xiàn)，因為有著CL36的時序，所以和6400MT/s下幾乎沒有差別。

我們同樣對其進行了超頻和調整小參。經(jīng)過簡單的嘗試，在提升頻率的同時降低時序，該內(nèi)存可以跑到8200MT/s CL34，而如果時序保持CL36不變，則可以將頻率提升到8400MT/s。從測試來看，這對內(nèi)存應該是可以跑到8400MT/s CL34的，但是需要更多更細致的超頻調整。

超頻后的讀寫性能得到了進一步提升。可以看到在8200MT/s時，讀取和寫入性能都已經(jīng)超過了100000MB/s，提升非常明顯。而此時的延遲則進一步降低，已經(jīng)低于6400MT/s CL28了。而頻率提升到8400MT/s時，相比8200MT/s在讀寫性能上還能再提升一點，不過不是太多，雖然此時的時序漲到了CL36，但因為頻率也提升了200MT/s，所以綜合下來延遲相較于8200MT/s時還低了一點。

最后我們使用銳龍9 9950X在7Zip中進行了Benchmark測試，由此來看看高頻率高帶寬在實際軟件環(huán)境中的表現(xiàn)。

從測試可以看到，隨著內(nèi)存頻率的提升，7Zip的跑分也隨之提升，特別是對壓縮性能的提升相對較大一些。

總結：表現(xiàn)優(yōu)秀，兼顧高頻與低延遲的雙重需求

作為業(yè)界首款同時搭載8000MT/s CL36與6400 MT/s CL28雙EXPO配置的旗艦發(fā)燒級內(nèi)存，佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存很好的平衡了AMD平臺內(nèi)存的選擇困境，玩家無需在低延遲和高頻率高帶寬中作出妥協(xié)，可以很好的實現(xiàn)兩者兼顧。而雙檔EXPO設置，也能更好的適配不同玩家的平臺，兩檔EXPO配置對于不想動手想省心的玩家來說，可以方便的選擇自己想要的甜點頻率，一鍵開啟高性能表現(xiàn)。而10層PCB加特挑ADie顆粒，也讓有動手能力的玩家能夠更輕松的挑戰(zhàn)超頻極限。總的來說，該內(nèi)存是發(fā)燒玩家值得關注的選擇。